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為什么IGBT模塊中頻爐比可控硅(串聯諧振)中頻電爐更具有優勢:
1、IGBT模塊為可自關斷大功率三極管與MOS管的組合器件,不需要外部電路使其換相關斷。因此設備保護可靠,穿爐、搭鐵、接地、水冷電纜燒斷都非常不易損壞IGBT模塊,其損壞率低于可控硅中頻爐。
2、IGBT模塊的通電回路中,無需限制電流上升率的空芯電感,使得其工作效率明顯提高。
3、IGBT模塊無需空芯電感,使得感應器上沒有電流換相毛刺。這樣感應器匝間不易擊穿打火,爐襯壽命也相對延長。
4、IGBT模塊中頻爐,在整個熔化周期中,爐體得到的有功功率(即負載功率因數)比可控硅中頻爐要高,因此效率也明顯提高。
主要技術參數: